1.電壓型全控器件P≤MOSF：正連續柵電壓控製，負持續柵壓控製和隔離;開關頻率高;單極，開關頻率高，負連續柵電壓控製。
2.電壓型全控裝置IBGT：正連續柵電壓控製接通，負持續柵極電壓控製和隔離，開關頻率高，雙極;
3.電壓型全控器件MCT：正脈衝電壓控製接通，負脈衝電壓控製關閉，開關頻率高(低於IGBT)，雙極開關，負脈衝電壓控製關閉。
4.電壓型全控裝置：連續電壓控製開關;高開關頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT：正連續基波電流控製開啟，基極電流在基極電流為0時被關閉，開關頻率適中，雙極電流被打開，基極電流在基極電流為0時被關閉。
6.電流模式半控器件可控矽：脈衝柵電流控製接通，觸發信號不能控製開關，開關頻率低，雙極;
7.電流模式全控裝置GTO：正脈衝柵電流控製開關，負脈衝門電流(較大)控製關閉，開關頻率低，雙極;
