1.電壓型全控器件P≤MOSF:正連續柵電壓控製,負持續柵壓控製和隔離;開關頻率高;單極,開關頻率高,負連續柵電壓控製。
2.電壓型全控裝置IBGT:正連續柵電壓控製接通,負持續柵極電壓控製和隔離,開關頻率高,雙極;
3.電壓型全控器件MCT:正脈衝電壓控製接通,負脈衝電壓控製關閉,開關頻率高(低於IGBT),雙極開關,負脈衝電壓控製關閉。
4.電壓型全控裝置:連續電壓控製開關;高開關頻率;單極;
5.電流模式全控裝置BJT:正連續基波電流控製開啟,基極電流在基極電流為0時被關閉,開關頻率適中,雙極電流被打開,基極電流在基極電流為0時被關閉。
6.電流模式半控器件可控矽:脈衝柵電流控製接通,觸發信號不能控製開關,開關頻率低,雙極;
7.電流模式全控裝置GTO:正脈衝柵電流控製開關,負脈衝門電流(較大)控製關閉,開關頻率低,雙極;